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Département de génie physique

Vailionis, A., Cho, B., Glass, G., Desjardins, P., Cahill, D. G., & Greene, J. E. (2000). Pathway for the strain-driven two-dimensional to three-dimensional transition during growth of Ge on Si(001). Physical Review Letters, 85(17), 3672-3675. Lien externe

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