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Documents dont l'auteur est "Ganiere, J. D."

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Article de revue

Cléton, F., Sieber, B., Masut, R. A., Isnard, L., Bonard, J. M., & Ganiere, J. D. (1996). Photon recycling as the dominant process of luminescence generation in an electron-beam excited n-InP epilayer grown on an n⁺-InP substrate. Semiconductor Science and Technology, 11(5), 726-734. Lien externe

Communication écrite

Cleton, F., Sieber, B., Isnard, L., Masut, R. A., Bonard, J. M., & Ganiere, J. D. (mars 1995). Band-to-band recombination in N+ InP substrate: Evidence of photon recycling [Communication écrite]. International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials (MSM 1995), Oxford University, UK. Lien externe

Liste produite: Fri Dec 20 03:56:07 2024 EST.