Y. Diawara, H. Lafontaine, Mohamed Chaker, J. C. Kieffer, H. Pépin, R. W. Cochrane, John F. Currie, Anne-Marie Haghiri-Gosnet, M. F. Ravet et F. Rousseaux
Article de revue (1993)
Un lien externe est disponible pour ce document| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/82250/ |
| Titre de la revue: | Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena (vol. 11, no 2) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1116/1.586673 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1116/1.586673 |
| Date du dépôt: | 15 sept. 2026 15:37 |
| Dernière modification: | 15 sept. 2026 15:37 |
| Citer en APA 7: | Diawara, Y., Lafontaine, H., Chaker, M., Kieffer, J. C., Pépin, H., Cochrane, R. W., Currie, J. F., Haghiri-Gosnet, A.-M., Ravet, M. F., & Rousseaux, F. (1993). Rapid thermal annealing for reducing stress in tungsten x-ray mask absorber. Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena, 11(2), 296-300. https://doi.org/10.1116/1.586673 |
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