Étude des corrélations entre paramètres de préparation, caractéristiques électriques et physico-chimiques d'échantillons de a-Si : H dopés ou non

B. Ranchoux et John F. Currie

Article de revue (1985)

Un lien externe est disponible pour ce document

Afficher le résumé

Cacher le résumé

Mots clés

• Computational Mechanics
• Electrical and Electronic Engineering
• Thin-Film Transistor Technologies
• Silicon and Solar Cell Technologies
• Surface Roughness and Optical Measurements

Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/69888/
Titre de la revue:	Canadian Journal of Physics (vol. 63, no 1)
Maison d'édition:	NRC Research Press
DOI:	10.1139/p85-009
URL officielle:	https://doi.org/10.1139/p85-009
Date du dépôt:	21 nov. 2025 10:13
Dernière modification:	21 nov. 2025 10:13

Citer en APA 7:	Ranchoux, B., & Currie, J. F. (1985). Étude des corrélations entre paramètres de préparation, caractéristiques électriques et physico-chimiques d'échantillons de a-Si : H dopés ou non. Canadian Journal of Physics, 63(1), 54-58. https://doi.org/10.1139/p85-009
APA 7 (HTML)ASCII CitationAtomBibTeXDOIsDublin CoreEndNote (.ENW)MARC (ISO 2709/UTF-8) (.MRC)MARC (UTF-8) (.MRK8)MARC XMLMPEG-21 DIDLMultiline CSVOAI-ORE Resource Map (Atom Format)OPENAIREOpenURL ContextObjectOpenURL ContextObject in SpanRDF+N-TriplesRDF+N3RDF+XMLReferReference Manager (.RIS)Simple Metadata

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document