Structure of the Electrical Double Layer at the Interface between an Ionic Liquid and Tungsten Oxide in Ion-Gated Transistors

Martin S. Barbosa, Nina Balke, Wan-Yu Tsai, Clara Santato et Marcelo O. Orlandi

Article de revue (2020)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/45539/
Titre de la revue:	Journal of Physical Chemistry Letters (vol. 11, no 9)
Maison d'édition:	American Chemical Society (ACS)
DOI:	10.1021/acs.jpclett.0c00651
URL officielle:	https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.0c00651
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:01
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:33

Citer en APA 7:	Barbosa, M. S., Balke, N., Tsai, W.-Y., Santato, C., & Orlandi, M. O. (2020). Structure of the Electrical Double Layer at the Interface between an Ionic Liquid and Tungsten Oxide in Ion-Gated Transistors. Journal of Physical Chemistry Letters, 11(9), 3257-3262. https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.0c00651
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