Martin S. Barbosa, Nina Balke, Wan-Yu Tsai, Clara Santato
et Marcelo O. Orlandi
Article de revue (2020)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/45539/ |
| Titre de la revue: | Journal of Physical Chemistry Letters (vol. 11, no 9) |
| Maison d'édition: | American Chemical Society (ACS) |
| DOI: | 10.1021/acs.jpclett.0c00651 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.0c00651 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:01 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:11 |
| Citer en APA 7: | Barbosa, M. S., Balke, N., Tsai, W.-Y., Santato, C., & Orlandi, M. O. (2020). Structure of the Electrical Double Layer at the Interface between an Ionic Liquid and Tungsten Oxide in Ion-Gated Transistors. Journal of Physical Chemistry Letters, 11(9), 3257-3262. https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.0c00651 |
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