Fedwa El-Mellouhi, Normand Mousseau et Pablo Ordejón
Article de revue (2004)
Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal
Un lien externe est disponible pour ce document| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41369/ |
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| Titre de la revue: | Physical Review B (vol. 70, no 20) |
| Maison d'édition: | American Physical Society |
| DOI: | 10.1103/physrevb.70.205202 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevb.70.205202 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:19 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:05 |
| Citer en APA 7: | El-Mellouhi, F., Mousseau, N., & Ordejón, P. (2004). Sampling the diffusion paths of a neutral vacancy in silicon with quantum mechanical calculations. Physical Review B, 70(20), 205202 (9 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.70.205202 |
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