Modeling the Influence of the Porosity of Laser-Ablated Silicon Films on Their Photoluminescence Properties

Meunier, Michel; Bernier, J. S.; Sylvestre, J. P.; Kabashin, Andrei; Meunier, Michel; Bernier, J. S.; Sylvestre, J. P.; Kabashin, Andrei

Modeling the Influence of the Porosity of Laser-Ablated Silicon Films on Their Photoluminescence Properties

Michel Meunier , J. S. Bernier, J. P. Sylvestre, Andrei Kabashin

Article de revue (2008)

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Département:

Département de génie physique

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/20463/

Titre de la revue :

Applied Surface Science ( vol. 254 , no 9 )

Maison d'édition:

Elsevier

DOI:

10.1016/j.apsusc.2007.10.016

URL officielle:

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2007.10.016

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:20463

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:16

Dernière modification:

14 oct. 2026 12:52

Citer en APA 7:

Meunier, M., Bernier, J. S., Sylvestre, J. P., & Kabashin, A. (2008). Modeling the Influence of the Porosity of Laser-Ablated Silicon Films on Their Photoluminescence Properties. Applied Surface Science, 254(9), 2771-2775. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2007.10.016

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