S. S. Sabri, Pierre L. Lévesque, Carla Maria Aguirre-Carmona, J. Guillemette, R. Martel, T. Szkopek
Article de revue (2009)
Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Département:
Unité de recherche:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Applied Physics Letters
(
vol.
95
,
no
24
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:18998
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:15
Dernière modification:
14 oct. 2026 11:22
Citer en APA 7:
Sabri, S. S., Lévesque, P. L., Aguirre-Carmona, C. M., Guillemette, J., Martel, R., & Szkopek, T. (2009). Graphene field effect transistors with parylene gate dielectric. Applied Physics Letters, 95(24), 242104-242104. https://doi.org/10.1063/1.3273396
Statistiques
Dimensions
