S. S. Sabri, P. L. Levesque, Carla Maria Aguirre-Carmona, J. Guillemette, R. Martel et T. Szkopek
Article de revue (2009)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | RQMP - Regroupement québécois sur les matériaux de pointe |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/18998/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 95, no 24) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.3273396 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.3273396 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:15 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:01 |
| Citer en APA 7: | Sabri, S. S., Levesque, P. L., Aguirre-Carmona, C. M., Guillemette, J., Martel, R., & Szkopek, T. (2009). Graphene field effect transistors with parylene gate dielectric. Applied Physics Letters, 95(24), 242104-242104. https://doi.org/10.1063/1.3273396 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
