C. Yan, S. K. Jha, J. C. Qian, Z. F. Zhou, B. He, T. W. Ng, K. Y. Li, W. J. Zhang, I. Bello, Jolanta-Ewa Sapieha
, Ludvik Martinu
Article de revue (2013)
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Titre de la revue
:
Applied Physics Letters
(
vol.
102
,
no
12
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:12936
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:10
Dernière modification:
14 oct. 2026 11:13
Citer en APA 7:
Yan, C., Jha, S. K., Qian, J. C., Zhou, Z. F., He, B., Ng, T. W., Li, K. Y., Zhang, W. J., Bello, I., Sapieha, J.-E., & Martinu, L. (2013). Electronic structure and electrical transport in ternary Al-Mg-B films prepared by magnetron sputtering. Applied Physics Letters, 102(12), 122110-1-122110-4. https://doi.org/10.1063/1.4795298
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