C. Yan, S. K. Jha, J. C. Qian, Z. F. Zhou, B. He, T. W. Ng, K. Y. Li, W. J. Zhang, I. Bello, Jolanta-Ewa Sapieha
et Ludvik Martinu
Article de revue (2013)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/12936/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 102, no 12) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.4795298 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.4795298 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:10 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 10:52 |
| Citer en APA 7: | Yan, C., Jha, S. K., Qian, J. C., Zhou, Z. F., He, B., Ng, T. W., Li, K. Y., Zhang, W. J., Bello, I., Sapieha, J.-E., & Martinu, L. (2013). Electronic structure and electrical transport in ternary Al-Mg-B films prepared by magnetron sputtering. Applied Physics Letters, 102(12), 122110-1-122110-4. https://doi.org/10.1063/1.4795298 |
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